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由于碳化硅陶瓷的各種優(yōu)良性能，因此人們非常認(rèn)可碳化硅陶瓷，所以對(duì)碳化硅陶瓷的開(kāi)發(fā)和研制也是非常多的，下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法。
（1）熱壓碳化硅陶瓷 雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類(lèi)：一類(lèi)與碳化硅中的雜質(zhì)形成液相，通過(guò)液相促進(jìn)燒結(jié)；一類(lèi)是與SiC形成固溶體降低晶界能促進(jìn)燒結(jié)。
（2）常壓碳化硅陶瓷 常壓燒結(jié)碳化硅也命名為無(wú)壓燒結(jié)碳化硅，在燒結(jié)到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
（3）反應(yīng)碳化硅陶瓷 反應(yīng)燒結(jié)碳化硅又稱(chēng)為自結(jié)合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過(guò)氣相與C反應(yīng)生成。
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